新型离子束溅射源沉积速率的研究

张进，朱昌
（西安工业大学 光电工程学院，陕西 西安 710032）
Study on the Deposition Ratio of new type sputtering ion source
ZHANG Jin, ZHU Chang
(School of Optoelectronics Engineering , Xi’an Technology University, Xi’an 710032 , China)

离子束溅射技术经过多年的发展，已经成为非常重要的一项薄膜制备技术。在现代薄膜技术中，离子束溅射技术具有污染小、缺陷少、成膜致密等优点，但离子束沉积技术也有其局限性，主要体现在低的沉积速率。离子束溅射沉积薄膜速率的快慢不仅依赖于离子源的结构,更依赖于离子束溅射源的工艺参数。本文主要研究在确定离子束溅射源结构下,其工艺参数对薄膜沉积速率的影响，综合考虑得出沉积速率较好的一组工艺参数。影响离子束溅射源沉积速率的工艺参数有：放电电压、Ar气流量、电磁铁线圈电流和靶基距。

        离子束溅射源安装在ZZX-1100离子源真空实验台内，选用直径为20mm的抛光K9玻璃片作为镀制基片, 采用所选取的离子束溅射源工艺参数镀制Cu膜，借助Tayloy Hobson轮廓检测仪测量膜厚。实验过程中，放电电压U、Ar气流量Q、电磁铁线圈电流Ic和靶基距D为影响薄膜沉积速率的工艺参数，每次取其中三个量为定值，改变另一个量来研究这个变量对薄膜沉积速率的影响。

        通过对离子束溅射源沉积速率的系统研究,发现影响Cu膜沉积速率的主要因素有放电电压、Ar气流量和靶基距,次要因素有磁场线圈电流。