跨入二十一世纪以来，红外热摄像技术的发展已经历了三十多个年头。其发展已从当初的
机械扫描机构发展到了目前的全固体小型化全
电子自扫描凝视摄像，特别是非致冷技术的发展使红外热摄像技术从长期的主要军事目的扩展到诸如工业监控测温、执法缉毒、安全防犯、医疗卫生、遥感、设备先期性故障诊断与维护、海上救援、天文探测、车辆、飞行器和舰船的驾驶员夜视增强观察仪等广阔的民用领域。
红外热摄像技术的发展速度主要取决于红外探测器技术取得的进展。三十年来，红外探测器技术已从第一代的单元和线阵列发展到了第二代的二维时间延迟与积分（TDI）8～12μm的扫描和3～5μm的640×480元InSb凝视阵列，目前正在向焦平面超高密度集成探测器元、高性能、高可靠性、进一步小型化、非致冷和军民两用技术的方向发展，正在由第二代阵列技术向第三代微型化高密度和高性能红外焦平面阵列技术方向发展。
1 发展现状
1.1 超高集成度的焦平面探测器像元
像可见光
CCD之类的摄像阵列一样，要提高系统成像的分辨率和目标识别能力，大幅度地提高系统焦平面红外探测像元的集成度是一种重要的途径。各公司厂家都在尽力增加焦平面阵列的像元数，发展各种格式的大型或特大型红外焦平面阵列。
在1～3μm的短波红外（SWIR）焦平面阵列方面，由于多年来的军用都集中在中波红外（MWIR）和长波红外（LWIR）波段，因而SWIR焦平面阵列技术的发展受到忽略，但由于这个波段的许多应用是MWIR和LWIR应用达不到的，因而近几年来加快了对SWIR焦平面阵列技术的发展步伐，目前的阵列规模已达到2048×2048元（400万元）。
·InGaAs红外焦平面阵列：虽然实现短波红外热摄像的候选材料要求低温冷却工作，而且HgCdTe衬底失配率高，暗电流也高，唯有In0.53Ga0.47As的晶格常数与InP相同，暗电流密度低达3×10-8A/cm2，R0A＞2×106Ω.cm2，D*＞1013cmHz1/2W-1（室温下），其光响应峰值在0.9μm～1.7μm，可实现非致冷工作的高性能红外焦平面阵列，其多年的
光纤通信工业应用使其具有大批量生产的能力，因而几年来日益受到重视，美国
传感器无限公司在DARPA 和NVESD支持下正在加速发展这种非致冷的红外焦平面阵列和摄像机技术，其阵列尺寸已达到320×240元。
·HgCdTe阵列：由于军用目的的需求，过去这种材料焦平面阵列技术的发展主要集中于中波和长波红外波段应用，但洛克威尔国际科学中心却一直在发展1～3μm波段工作的HgCdTe焦平面阵列技术，其主要目的是天文和低背景应用，该中心在90年代中期已制出HQWAⅡ-1 1024×1024元阵列，目前已研制成功世界上最大的HQWAⅡ-2型2048×2048元的阵列，该中心正在计划研制4096×4096元的特大型阵列。
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