在3～5μm的中波红外焦平面阵列方面：中波红外焦平面阵列技术的发展一直是红外焦平面中发展最快的，主要有PtSi、InSb和HgCdTe三种阵列，其阵列规模已达到2048×2048元（400万元）。
·PtSi阵列已形成大批量生产能力，典型阵列有640×480，801×512，1024×1024，1040×1040，柯达公司新近推出的产品高达1968×1968元，其阵列规模已接近于400万元，HgCdTe中波焦平面阵列是目前所有焦平面中波工作阵列中集成度高，最引人注目的，洛克威尔国际科学中心在这方面的发展处于世界领先地位，除了640×480和1024×1024元的天文应用阵列外，近期已准备提供用户使用的阵列为2048×2048元，并正在采用拼接技术研制4096×4096元的阵列，但工作温度低于77K。
·InSb阵列是这个波段应用中深受重视的器件，主要是低背景天文应用阵列规格达1024×1024元，典型阵列还有640×480和640×512元。
在长波红外焦平面阵列方面，主要集中于HgCdTe，GaAlAs/GaAs多量子阱阵列，SiGe异质结构阵列和非致冷红外焦平面阵列四种。HgCdTe阵列的发展一直较为缓慢，近几年主要集中于GaAlAs/GaAs量子阱列和非致冷工作的红外焦平面阵列技术，发展极快，阵列规模已达到了640×480元。
字串8 ·HgCdTe焦平面阵列技术，由于这种材料的电学特性，进展一直较为缓慢，长波HgCdTe焦平面阵列规模仅为256×256元。
·GaAlAs/GaAs阵列是最近几年来发展最快的，研究的国家公司机构很多，如美国的洛克希德-马丁、洛克威尔国际科学中心，雷声、喷气式推进实验室和空军研究实验室等，日本的三菱电机和NTT，法国的汤姆逊和瑞典、加拿大、以色列的不少公司竟相研制发展，其中以喷气式推进实验室、雷声和洛克希德-马丁公司的进展最快，目前的阵列尺寸已达到640×484元，已评估了1024×1024元的双色阵列，正在水平集成四色阵列。
·GeSi/Si异质结构红外焦平面阵列6，其工作机理类同于PtSi阵列。MBE技术的发展，为GeSi/Si、InSb和InGaAs、GaAlAs、HgCdTe等高性能大型阵列发展提供了先进的制作技术。麻省理工学院和林肯实验室已制作了320×240元和400×400元的阵列，日本三菱电机公司的阵列规模已达到了512×512元，只是目前GeSi/Si阵列工作温度明显低于77K。
·非致冷红外焦平面阵列，由于近几年来取得的突破性进展，器件和整机系统应用技术的发展均很迅速，主要用于8～14μm的长波红外波段探测，像美国霍尼韦尔、得克萨斯仪器、洛克希德马丁、雷声、因迪哥系统、萨尔诺夫和波特兰前视红外系统公司等，日本三菱电机公司、英国GEC-马可尼和瑞典、加拿大等国的公司都竞相发展这种技术，竞争几乎遍及全球，发展甚为迅猛，目前常用商用阵列为320×240元，640×480元阵列即将问世。
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