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TFT和光电二极管等多个元件纵向层叠的方法

更新日期:2007-09-04  作者:  来源:光学精密机械网(ChinaOptic.Com.Cn)收集整理

  以低成本实现三维LSI(TFT和光电二极管等多个元件纵向层叠)的方法亮相。通过半导体激光使中间夹有一层绝缘膜的2层硅薄膜同时结晶,这是奈良尖端科学技术研究生院大学、产业技术综合研究所及爱发科(ULVAC)合作小组的成果。   字串8

  使用绿色激光  

  开发小组在玻璃底板上形成了2层硅薄膜,硅薄膜中间夹有氧化硅,通过向上层照射半导体激光,上层、下层硅薄膜可同时结晶。使用波长较长的半导体绿色激光(波长532nm),上层的硅层不完全吸收所照射的激光,透过的激光让下层吸收。  

  硅薄膜结晶一般使用的激光波长较短,约为300nm以下,因此上层的硅膜吸收了大部分的光。这样,使用准分子激光法便需要从下层开始逐次进行层叠和结晶,工艺成本比较高。  

膜质量与单结晶相当,尝试用于人工视网膜LSI  

  用此次的方法完成结晶的硅薄膜,上层可形成粒径1μm左右的多结晶,下层可形成粒径几十纳米的微结晶。上层的载流子迁移率为550cm2/(V-1s-1),与单结晶相当,可用于TFT的通道部分等。例如,通过在上层硅膜上嵌入TFT,在下层硅膜上嵌入光电二极管,“能够实现人工视网膜LSI”(奈良尖端科学技术研究生院大学 副教授浦冈行治),开发小组计划推进人工视网膜的应用开发。  

  在使用绿色激光实现结晶化的硅薄膜领域,此前没有实现如此高的载流子迁移率的先例。与使用气体的准分子激光相比,使用类似绿色激光这样的半导体激光具有维护成本低的优点。

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